창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL32A227MQVNNNE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL32A227MQVNNNE Characteristics CL32A227MQVNNNESpec Sheet MLCC Catalog | |
제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 220µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 6.3V | |
온도 계수 | X5R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.110"(2.80mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 1276-3375-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL32A227MQVNNNE | |
관련 링크 | CL32A227M, CL32A227MQVNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | MKP383212250JIM2T0 | 1200pF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP383212250JIM2T0.pdf | |
![]() | FRH20A15 | FRH20A15 NIEC TO-220 | FRH20A15.pdf | |
![]() | DRR-NJS-T2U-1 | DRR-NJS-T2U-1 DOMINAT ROHS | DRR-NJS-T2U-1.pdf | |
![]() | HA12134AT | HA12134AT HIT DIP16 | HA12134AT.pdf | |
![]() | PM150RL1A1210 | PM150RL1A1210 MISUBISHI SMD or Through Hole | PM150RL1A1210.pdf | |
![]() | 74457008 | 74457008 Wurth SMD | 74457008.pdf | |
![]() | BR18 | BR18 ORIGINAL SOT-23 | BR18.pdf | |
![]() | SB820DC | SB820DC ORIGINAL TO-263D2PAK | SB820DC.pdf | |
![]() | M34519M6 | M34519M6 MITSUBSH SSOP48 | M34519M6.pdf | |
![]() | SLSNNWH423TSI3E0G | SLSNNWH423TSI3E0G SAMSUNG SMD or Through Hole | SLSNNWH423TSI3E0G.pdf | |
![]() | CS1008-R33J-N | CS1008-R33J-N YAGEO SMD | CS1008-R33J-N.pdf |