창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL31C470JIFNNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL31C470JIFNNNE Characteristics CL31C470JIFNNNESpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 47pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.055"(1.40mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-3271-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL31C470JIFNNNE | |
| 관련 링크 | CL31C470J, CL31C470JIFNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | IDC7328ER3R3M | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 6.2A 18 mOhm Max Nonstandard | IDC7328ER3R3M.pdf | |
![]() | HMC770LP4BE | RF Amplifier IC General Purpose 40MHz ~ 1GHz 20-QFN (4x4) | HMC770LP4BE.pdf | |
![]() | B39389-G3967-M100 | B39389-G3967-M100 EPCOS SIP-5K | B39389-G3967-M100.pdf | |
![]() | 15FLZ-RSM2-GB-TB(LF)(SN) | 15FLZ-RSM2-GB-TB(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 15FLZ-RSM2-GB-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | PMEG2005EH.115 | PMEG2005EH.115 PHA SMD or Through Hole | PMEG2005EH.115.pdf | |
![]() | MAX3349EAEBE+TG47 | MAX3349EAEBE+TG47 MAXIM QFN | MAX3349EAEBE+TG47.pdf | |
![]() | 2SB1197KRLT1G | 2SB1197KRLT1G LRC SOT-23 | 2SB1197KRLT1G.pdf | |
![]() | MAX9994E | MAX9994E MAXIM QFN | MAX9994E.pdf | |
![]() | 520186626 | 520186626 MOLEX SMD or Through Hole | 520186626.pdf | |
![]() | NMC27C16HQ-45 | NMC27C16HQ-45 NSC DIP | NMC27C16HQ-45.pdf | |
![]() | HIC760101 | HIC760101 DELTA SIP13 | HIC760101.pdf |