Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL31C332JBFNNNE
-F.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL31C332JBFNNNE
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CL31C332JBFNNNE 가격 및 조달
가능 수량
14550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 47.63856
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CL31C332JBFNNNE 재고가 있습니다. 우리는 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 전자 부품 전문. CL31C332JBFNNNE 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CL31C332JBFNNNE가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CL31C332JBFNNNE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL31C332JBFNNNE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL31C332JBFNNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL31C332JBFNNNESpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 3300pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.055"(1.40mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-3258-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL31C332JBFNNNE | |
| 관련 링크 | CL31C332J, CL31C332JBFNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
CL31C332JBFNNNE 의 관련 제품
-2.jpg) | C0402C0G1C560G | 56pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402C0G1C560G.pdf | |
 | ISC1812EB1R8K | 1.8µH Shielded Wirewound Inductor 403mA 430 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812EB1R8K.pdf | |
 | Y16222K00000F9L | RES 2K OHM 8W0 1% TO220-2 | Y16222K00000F9L.pdf | |
| BTV2487ACHF85 | BTV2487ACHF85 BT SMD or Through Hole | BTV2487ACHF85.pdf | |
| DNE6625ST | DNE6625ST ORIGINAL DIP64 | DNE6625ST.pdf | |
| Si2136 | Si2136 ORIGINAL QFN-32 | Si2136.pdf | |
| EC6D0-P1 | EC6D0-P1 ORIGINAL QFP | EC6D0-P1.pdf | |
| 179321-3 | 179321-3 AMP SMD or Through Hole | 179321-3.pdf | |
| SCL-RGG-01 | SCL-RGG-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | SCL-RGG-01.pdf | |
| SVH29056/4 | SVH29056/4 ORIGINAL SMD or Through Hole | SVH29056/4.pdf | |
| SU150-110S15-BZ | SU150-110S15-BZ SUCCEED DIP | SU150-110S15-BZ.pdf | |
| C3225X5R1H123KT | C3225X5R1H123KT TDK SMD or Through Hole | C3225X5R1H123KT.pdf |