창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL31C271JGFNNNF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL31C271JGFNNNF Characteristics CL31C271JGFNNNFSpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 270pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 500V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.055"(1.40mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL31C271JGFNNNF | |
| 관련 링크 | CL31C271J, CL31C271JGFNNNF 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | SZ1SMB48CAT3G | TVS DIODE 48VWM 77.4VC SMB | SZ1SMB48CAT3G.pdf | |
![]() | AIMC-0201-3N9S-T | 3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 450 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | AIMC-0201-3N9S-T.pdf | |
![]() | RNF18FTD6R81 | RES 6.81 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD6R81.pdf | |
![]() | YR1B576KCC | RES 576K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | YR1B576KCC.pdf | |
![]() | MB8316200BPF-G-0C3 | MB8316200BPF-G-0C3 FUJITSU SMD or Through Hole | MB8316200BPF-G-0C3.pdf | |
![]() | H-9-N | H-9-N M/A-COM SMD or Through Hole | H-9-N.pdf | |
![]() | SF3004-EC10A | SF3004-EC10A ROHM SMD or Through Hole | SF3004-EC10A.pdf | |
![]() | 8-925-904-411 | 8-925-904-411 ST QFP80 | 8-925-904-411.pdf | |
![]() | NQ191 | NQ191 ORIGINAL BGA | NQ191.pdf | |
![]() | HIP5010IS-T | HIP5010IS-T HAR SMD or Through Hole | HIP5010IS-T.pdf | |
![]() | NRE-HWR47M200V5x11F | NRE-HWR47M200V5x11F NIC DIP | NRE-HWR47M200V5x11F.pdf |