창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL31C151JGFNNNE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL31C151JGFNNNE Spec MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 150pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 500V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.055"(1.40mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 1276-3216-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL31C151JGFNNNE | |
관련 링크 | CL31C151J, CL31C151JGFNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
SK221M016ST | 220µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 970 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SK221M016ST.pdf | ||
![]() | AQ11EM1R5BA1WE | 1.5pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ11EM1R5BA1WE.pdf | |
![]() | ECS-200-16-7S-TR | 20MHz ±30ppm 수정 16pF 30옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-200-16-7S-TR.pdf | |
![]() | SIT9002AI-38N18DO | 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 51mA | SIT9002AI-38N18DO.pdf | |
![]() | RCP0505W39R0GTP | RES SMD 39 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W39R0GTP.pdf | |
![]() | M51843S | M51843S MIT CDIP | M51843S.pdf | |
![]() | P1LV0416CSB | P1LV0416CSB JAPAN TSOP44 | P1LV0416CSB.pdf | |
![]() | HY62V8100ALR1-15 | HY62V8100ALR1-15 HYINX TSSOP32 | HY62V8100ALR1-15.pdf | |
![]() | S30E6B | S30E6B IR SMD or Through Hole | S30E6B.pdf | |
![]() | LM567CN+ | LM567CN+ NSC SMD or Through Hole | LM567CN+.pdf | |
![]() | XC2C512-6FT256I | XC2C512-6FT256I XILINX BGA | XC2C512-6FT256I.pdf | |
![]() | YB1517ST25 | YB1517ST25 YOBON SOT153 | YB1517ST25.pdf |