창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL31B223KHHNFNE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL31B223KHHNFNE Spec CL31B223KHHNFNE Characteristics MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC High Cap MLCC Family Soft Termination MLCC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.022µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 630V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 1276-3125-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL31B223KHHNFNE | |
관련 링크 | CL31B223K, CL31B223KHHNFNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | GDP30S120B | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2 | GDP30S120B.pdf | |
![]() | CDH113NP-270LC | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 1.16A 110 mOhm Max Nonstandard | CDH113NP-270LC.pdf | |
![]() | RC14KB22K0 | RES 22K OHM 1/4W 10% AXIAL | RC14KB22K0.pdf | |
![]() | EM78P744SANJ-G | EM78P744SANJ-G EMC SOP | EM78P744SANJ-G.pdf | |
![]() | 1210N822J101NTM | 1210N822J101NTM NOVACAP 1210 | 1210N822J101NTM.pdf | |
![]() | SI3831DV-T1 | SI3831DV-T1 SILICONIX SOT26 | SI3831DV-T1.pdf | |
![]() | AP5519KBD | AP5519KBD ORIGINAL DIP40 | AP5519KBD.pdf | |
![]() | M52495AFP | M52495AFP MITSUBSHI SSOP24 | M52495AFP.pdf | |
![]() | UPD75512GF-144 | UPD75512GF-144 NEC SMD or Through Hole | UPD75512GF-144.pdf | |
![]() | 16MV56WX | 16MV56WX SANYO DIP | 16MV56WX.pdf | |
![]() | 43LS226 | 43LS226 Chokes DIP | 43LS226.pdf | |
![]() | GT-48411A-B-2 | GT-48411A-B-2 GALILEO QFP | GT-48411A-B-2.pdf |