창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL21F106ZQFNNNF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL21F106ZQFNNNF Characteristics MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 10µF | |
| 허용 오차 | -20%, +80% | |
| 전압 - 정격 | 6.3V | |
| 온도 계수 | Y5V(F) | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -30°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.053"(1.35mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL21F106ZQFNNNF | |
| 관련 링크 | CL21F106Z, CL21F106ZQFNNNF 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | CDV30FF912JO3+2XX | MICA | CDV30FF912JO3+2XX.pdf | |
![]() | CAT24WC32WI-GT3 | CAT24WC32WI-GT3 CSI SOP | CAT24WC32WI-GT3.pdf | |
![]() | S-80825CLNB-B6K-T2 | S-80825CLNB-B6K-T2 SII SC-82AB | S-80825CLNB-B6K-T2.pdf | |
![]() | 71PL064J08 | 71PL064J08 SPANSION BGA | 71PL064J08.pdf | |
![]() | W83977ATG-AW | W83977ATG-AW WINBOND SMD or Through Hole | W83977ATG-AW.pdf | |
![]() | 22UF 250V 13*30 | 22UF 250V 13*30 ZTJ 13 30 | 22UF 250V 13*30.pdf | |
![]() | 24FC65-I/P | 24FC65-I/P MICROCHIP DIP | 24FC65-I/P.pdf | |
![]() | SALF-78+ | SALF-78+ Mini-Circuits ROHS | SALF-78+.pdf | |
![]() | CDR23BG101EJSP | CDR23BG101EJSP AVX SMD or Through Hole | CDR23BG101EJSP.pdf | |
![]() | R413N2680DQM1MM | R413N2680DQM1MM KEMET SMD or Through Hole | R413N2680DQM1MM.pdf | |
![]() | AN9135 | AN9135 MAT NULL | AN9135.pdf | |
![]() | 45R12B4(45.3MHz | 45R12B4(45.3MHz HERTZ 50BOX | 45R12B4(45.3MHz.pdf |