창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL21F105ZOFNNNG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1µF | |
허용 오차 | -20%, +80% | |
전압 - 정격 | 16V | |
온도 계수 | Y5V(F) | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -30°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.053"(1.35mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL21F105ZOFNNNG | |
관련 링크 | CL21F105Z, CL21F105ZOFNNNG 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | LQP03TG13NJ02D | 13nH Unshielded Thin Film Inductor 170mA 1.82 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TG13NJ02D.pdf | |
![]() | Y15082K00000TR0L | RES 2K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y15082K00000TR0L.pdf | |
![]() | RS4511YC15COPOB103 | RS4511YC15COPOB103 ALPS SMD or Through Hole | RS4511YC15COPOB103.pdf | |
![]() | AMD1831BLC | AMD1831BLC AMD BGA | AMD1831BLC.pdf | |
![]() | HD63A03YRP | HD63A03YRP RENESAS DIP-64 | HD63A03YRP.pdf | |
![]() | K4T1G164QA-ECE6 | K4T1G164QA-ECE6 SAM BGA | K4T1G164QA-ECE6.pdf | |
![]() | BW150URO | BW150URO BULLWILL SMD or Through Hole | BW150URO.pdf | |
![]() | P-1360B 59 | P-1360B 59 HRS SMD or Through Hole | P-1360B 59.pdf | |
![]() | 25FX-RSM1-J-TB | 25FX-RSM1-J-TB jst SMD or Through Hole | 25FX-RSM1-J-TB.pdf | |
![]() | c8051F300-GOR305 | c8051F300-GOR305 SILICON SMD or Through Hole | c8051F300-GOR305.pdf | |
![]() | QSE156 QSE157 QSE158 QSE159 | QSE156 QSE157 QSE158 QSE159 FAIRCHILD DIP-3 | QSE156 QSE157 QSE158 QSE159.pdf | |
![]() | 10SL22 | 10SL22 SANYO SMD or Through Hole | 10SL22.pdf |