창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL21C7R5CBANNNC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL21C7R5CBANNNC Spec MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 7.5pF | |
허용 오차 | ±0.25pF | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.030"(0.75mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 1276-2692-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL21C7R5CBANNNC | |
관련 링크 | CL21C7R5C, CL21C7R5CBANNNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | RV0603JR-071ML | RES SMD 1M OHM 5% 1/10W 0603 | RV0603JR-071ML.pdf | |
![]() | A-0.47UF/25V | A-0.47UF/25V NEC A | A-0.47UF/25V.pdf | |
![]() | TA7606AP | TA7606AP ORIGINAL DIP | TA7606AP.pdf | |
![]() | AP1501A-50T5 | AP1501A-50T5 ATC TO220-5L | AP1501A-50T5.pdf | |
![]() | 345732-1 | 345732-1 CATALYST SMD or Through Hole | 345732-1.pdf | |
![]() | AP60T03GJ-1 | AP60T03GJ-1 APEC TO-251 | AP60T03GJ-1.pdf | |
![]() | B65646A0000R027 | B65646A0000R027 EPCOS SMD or Through Hole | B65646A0000R027.pdf | |
![]() | IDT74LC162244APV | IDT74LC162244APV IDT SMD or Through Hole | IDT74LC162244APV.pdf | |
![]() | SFH836AS101 | SFH836AS101 SAMSUNG SMD | SFH836AS101.pdf | |
![]() | CXD9926ATQG4 | CXD9926ATQG4 TI TQFP | CXD9926ATQG4.pdf | |
![]() | MCP2551 I/SN | MCP2551 I/SN Microchip SMD or Through Hole | MCP2551 I/SN.pdf | |
![]() | CO66505-30.000 | CO66505-30.000 RALTRON SMD4 | CO66505-30.000.pdf |