창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL21C221KBANNNC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL21C221KBANNNC Spec CL21C221KBANNNC Characteristics MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 220pF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.030"(0.75mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 1276-2618-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL21C221KBANNNC | |
관련 링크 | CL21C221K, CL21C221KBANNNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | 416F37013IDR | 37MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37013IDR.pdf | |
![]() | LMH2100EVAL/NOPB | EVAL BOARD FOR LMH2100 | LMH2100EVAL/NOPB.pdf | |
![]() | 62S30-H9-040CH | OPTICAL ENCODER | 62S30-H9-040CH.pdf | |
![]() | AT27C512R-10DM/883 | AT27C512R-10DM/883 AT SMD or Through Hole | AT27C512R-10DM/883.pdf | |
![]() | PEF2466HV2.2/TR | PEF2466HV2.2/TR InfineonTechnolog SMD or Through Hole | PEF2466HV2.2/TR.pdf | |
![]() | XC3S50E-6F256C | XC3S50E-6F256C XILINX BGA | XC3S50E-6F256C.pdf | |
![]() | S98WS768POGFW004 | S98WS768POGFW004 SPANSION BGA | S98WS768POGFW004.pdf | |
![]() | MSCDRI-2D14S-1R7M | MSCDRI-2D14S-1R7M MAGLAYER SMD | MSCDRI-2D14S-1R7M.pdf | |
![]() | LAJW | LAJW LINEAR SMD or Through Hole | LAJW.pdf | |
![]() | BR24A16 | BR24A16 ROHM SOP8 | BR24A16.pdf | |
![]() | CY7C43662AV-7AC | CY7C43662AV-7AC CY QFP-120L | CY7C43662AV-7AC.pdf | |
![]() | CFS455B | CFS455B MURATA DIP | CFS455B.pdf |