창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL21B475KAFNNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL21B475KAFNNNE Spec CL21B475KAFNNNE Characteristics MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC High Cap MLCC Family Soft Termination MLCC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 4.7µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.053"(1.35mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-2969-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL21B475KAFNNNE | |
| 관련 링크 | CL21B475K, CL21B475KAFNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 1472981-5 | RELAY TIME DELAY | 1472981-5.pdf | |
![]() | RG3216N-2670-W-T1 | RES SMD 267 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-2670-W-T1.pdf | |
![]() | H834RBDA | RES 34.0 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H834RBDA.pdf | |
![]() | LH5164AH-10L | LH5164AH-10L SHARP SMD or Through Hole | LH5164AH-10L.pdf | |
![]() | UPD65622GF163 | UPD65622GF163 NEC QFP | UPD65622GF163.pdf | |
![]() | BYV36C T/B | BYV36C T/B PHI SMD or Through Hole | BYV36C T/B.pdf | |
![]() | 40888-313-52 | 40888-313-52 A-B SMD or Through Hole | 40888-313-52.pdf | |
![]() | IP323K-05 | IP323K-05 IPS TO-3 | IP323K-05.pdf | |
![]() | TLP762J(D4)-F | TLP762J(D4)-F TOSHIBA DIP5 | TLP762J(D4)-F.pdf | |
![]() | TAE5712T | TAE5712T ORIGINAL SMD | TAE5712T.pdf | |
![]() | IDT7256L35J | IDT7256L35J IDT PLCC-68 | IDT7256L35J.pdf | |
![]() | MCP6XXXEV-AMP4 | MCP6XXXEV-AMP4 MICROCHIP DEVTOOL - Analog | MCP6XXXEV-AMP4.pdf |