창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL21B104MOCNBNC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL21B104MOCNBNC Spec CL21B104MOCNBNC Characteristics MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC High Cap MLCC Family Soft Termination MLCC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 커패시터 어레이 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.1µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 16V | |
유전체 소재 | 세라믹 | |
커패시터 개수 | 4 | |
회로 유형 | 절연 | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.037"(0.95mm) | |
등급 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 1276-2452-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL21B104MOCNBNC | |
관련 링크 | CL21B104M, CL21B104MOCNBNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | DZ23C3V3-E3-08 | DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23 | DZ23C3V3-E3-08.pdf | |
![]() | RMCP2010FT665R | RES SMD 665 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT665R.pdf | |
![]() | SP211EOT | SP211EOT SIPEX SMD-34 | SP211EOT.pdf | |
![]() | 1UF/50 | 1UF/50 NEC C | 1UF/50.pdf | |
![]() | LXQ350VS221M22X40T2 | LXQ350VS221M22X40T2 UnitedCHEMI-CON DIP-2 | LXQ350VS221M22X40T2.pdf | |
![]() | 74VHCT574ADT | 74VHCT574ADT mot INSTOCKPACK75tu | 74VHCT574ADT.pdf | |
![]() | TSUM16AWK-LF-1.. | TSUM16AWK-LF-1.. MSTAR QFP | TSUM16AWK-LF-1...pdf | |
![]() | 4380028060 | 4380028060 TERADYNE SMD or Through Hole | 4380028060.pdf | |
![]() | TAS5612PHDR | TAS5612PHDR TI 64-HTQFP | TAS5612PHDR.pdf | |
![]() | V14E275L2T7 | V14E275L2T7 LITTELFUSE DIP | V14E275L2T7.pdf | |
![]() | RD3.9E | RD3.9E NEC DO-35 | RD3.9E.pdf |