Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL10C562JB8NNND
-10.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL10C562JB8NNND
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 5600pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CL10C562JB8NNND 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 27.82390
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CL10C562JB8NNND 재고가 있습니다. 우리는 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 전자 부품 전문. CL10C562JB8NNND 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CL10C562JB8NNND가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CL10C562JB8NNND 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL10C562JB8NNND 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL10C562JB8NNND | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL10C562JB8NNNDSpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 5600pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL10C562JB8NNND | |
| 관련 링크 | CL10C562J, CL10C562JB8NNND 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
CL10C562JB8NNND 의 관련 제품
 | MSRT200100(A)D | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | MSRT200100(A)D.pdf | |
 | RTHC-5010 | EMI FILTER 500VAC 10A SCREW TERM | RTHC-5010.pdf | |
 | HM66A-1030390NLF13 | 39µH Shielded Wirewound Inductor 1.32A 268.9 mOhm Max Nonstandard | HM66A-1030390NLF13.pdf | |
 | ERJ-6ENF2150V | RES SMD 215 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF2150V.pdf | |
.jpg) | RT1206DRE07143KL | RES SMD 143K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE07143KL.pdf | |
| US1006FL | US1006FL PANJIT SMD or Through Hole | US1006FL.pdf | |
| PM20S-R27M-RC | PM20S-R27M-RC BOURNS SMD or Through Hole | PM20S-R27M-RC.pdf | |
| F6EB-1G8425-B2DA | F6EB-1G8425-B2DA ORIGINAL SMD or Through Hole | F6EB-1G8425-B2DA.pdf | |
| LEMC3225T181J | LEMC3225T181J TAIYO 3225 | LEMC3225T181J.pdf | |
| TERMINAL 342-168 | TERMINAL 342-168 ZIERICK SMD or Through Hole | TERMINAL 342-168.pdf | |
| D769AC | D769AC NEC DIP-40 | D769AC.pdf | |
| L454 | L454 SGS DIP16 | L454.pdf |