창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL10C201JB8NFNC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL10C201JB8NFNC Spec CL10C201JB8NFNC Characteristics MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 200pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1276-2221-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL10C201JB8NFNC | |
| 관련 링크 | CL10C201J, CL10C201JB8NFNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | GRM3166S1H391JZ01D | 390pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3166S1H391JZ01D.pdf | |
![]() | RCS08055R49FKEA | RES SMD 5.49 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS08055R49FKEA.pdf | |
![]() | Y0007750R500F9L | RES 750.5 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y0007750R500F9L.pdf | |
![]() | HPFC-5100C/2.3 | HPFC-5100C/2.3 HEWLETT BGA | HPFC-5100C/2.3.pdf | |
![]() | SME63VB-10MTP | SME63VB-10MTP NIPPON DIP | SME63VB-10MTP.pdf | |
![]() | MD87C52/B | MD87C52/B ORIGINAL DIP | MD87C52/B .pdf | |
![]() | NAND08GW3C2BN6 | NAND08GW3C2BN6 ST TSOP48 | NAND08GW3C2BN6.pdf | |
![]() | BST12-0.7S16PCM | BST12-0.7S16PCM BELLNIX SMD or Through Hole | BST12-0.7S16PCM.pdf | |
![]() | 25V 470UF 10*13 | 25V 470UF 10*13 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25V 470UF 10*13.pdf | |
![]() | HN2S02 | HN2S02 TOSHIBA SSOP6 | HN2S02.pdf | |
![]() | INS8040LN-6 | INS8040LN-6 NSC SMD or Through Hole | INS8040LN-6.pdf |