창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL10C080CB8NCNC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL10C080CB8NCNC Spec MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 8pF | |
허용 오차 | ±0.25pF | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 1276-2139-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL10C080CB8NCNC | |
관련 링크 | CL10C080C, CL10C080CB8NCNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | 445C32B25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C32B25M00000.pdf | |
![]() | RT0603BRE072K55L | RES SMD 2.55KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE072K55L.pdf | |
![]() | M21156-13 | M21156-13 MNDSPEED BGA | M21156-13.pdf | |
![]() | CME3.3V10A | CME3.3V10A ORIGINAL DIP | CME3.3V10A.pdf | |
![]() | SDV1005A090C131NPT | SDV1005A090C131NPT ORIGINAL SMD or Through Hole | SDV1005A090C131NPT.pdf | |
![]() | RS5RJ5045A-T1 | RS5RJ5045A-T1 RICOH SOP-8 | RS5RJ5045A-T1.pdf | |
![]() | C2225X274K1RACAUTO | C2225X274K1RACAUTO KEMET SMD | C2225X274K1RACAUTO.pdf | |
![]() | NQ80322M800 | NQ80322M800 INTEL BGA | NQ80322M800.pdf | |
![]() | MCR18 EZH J 104 10 | MCR18 EZH J 104 10 ROHM SMD or Through Hole | MCR18 EZH J 104 10.pdf | |
![]() | 64F3062F25BH | 64F3062F25BH ORIGINAL QFP | 64F3062F25BH.pdf | |
![]() | 12105C683KAT060R | 12105C683KAT060R AVX SMD or Through Hole | 12105C683KAT060R.pdf |