창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL05C100CB5NNND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL05C100CB5NNND Characteristics CL05C100CB5NNNDSpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC High Cap MLCC Family | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 10pF | |
허용 오차 | ±0.25pF | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 50,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL05C100CB5NNND | |
관련 링크 | CL05C100C, CL05C100CB5NNND 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | R2B-6V472MJ7 | R2B-6V472MJ7 ELNA DIP | R2B-6V472MJ7.pdf | |
![]() | IRFU020PBF | IRFU020PBF IR SMD or Through Hole | IRFU020PBF.pdf | |
![]() | 1N4961A | 1N4961A ON SMD or Through Hole | 1N4961A.pdf | |
![]() | TMDS341APCFRG4 | TMDS341APCFRG4 TI QFP | TMDS341APCFRG4.pdf | |
![]() | DAV LV125 | DAV LV125 ST SMD | DAV LV125.pdf | |
![]() | 1333/31.5540MHZ | 1333/31.5540MHZ NDK SMD or Through Hole | 1333/31.5540MHZ.pdf | |
![]() | DF13B-9P-1.25V(20) | DF13B-9P-1.25V(20) ORIGINAL SMD or Through Hole | DF13B-9P-1.25V(20).pdf | |
![]() | 56c11 | 56c11 ORIGINAL QFP | 56c11.pdf | |
![]() | MBM29DL324BE90PFTN | MBM29DL324BE90PFTN FUJITSU TSOP-48 | MBM29DL324BE90PFTN.pdf | |
![]() | TSD30N60V | TSD30N60V ST SMD or Through Hole | TSD30N60V.pdf | |
![]() | GT218-773-B1 | GT218-773-B1 NVIDIA BGA | GT218-773-B1.pdf |