창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL05B102KB5NNND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL05B102KB5NNND Spec CL05B102KB5NNND Characteristics MLCC Catalog | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1000pF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 50,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL05B102KB5NNND | |
관련 링크 | CL05B102K, CL05B102KB5NNND 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | K1400S1URP | SIDAC 130-146V 1A UNI DO-214AC | K1400S1URP.pdf | |
![]() | S1210R-333F | 33µH Shielded Inductor 189mA 4.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-333F.pdf | |
![]() | GAE100BA60 | GAE100BA60 SanRex MODULE | GAE100BA60.pdf | |
![]() | PEMH10/DG,115 | PEMH10/DG,115 NXP SOT666 | PEMH10/DG,115.pdf | |
![]() | ES2GF-T | ES2GF-T Liteon SMD or Through Hole | ES2GF-T.pdf | |
![]() | ADM6384YKS31D2Z | ADM6384YKS31D2Z ADI SMD or Through Hole | ADM6384YKS31D2Z.pdf | |
![]() | SG2W226M16025PA180 | SG2W226M16025PA180 SAMWHA SMD or Through Hole | SG2W226M16025PA180.pdf | |
![]() | TAJP226K006RNJ | TAJP226K006RNJ AVX SMD or Through Hole | TAJP226K006RNJ.pdf | |
![]() | PHR5316 | PHR5316 ORIGINAL SMD or Through Hole | PHR5316.pdf | |
![]() | FCT162543 | FCT162543 ORIGINAL SSOP56 | FCT162543.pdf | |
![]() | DS2E-M-DC48V-Y4-H312 | DS2E-M-DC48V-Y4-H312 NAIS SMD or Through Hole | DS2E-M-DC48V-Y4-H312.pdf | |
![]() | 2SD2150 T100Q | 2SD2150 T100Q ROHM SOT89 | 2SD2150 T100Q.pdf |