창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL03C010BA3GNNH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL03C010BA3GNNH Spec MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1pF | |
| 허용 오차 | ±0.1pF | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL03C010BA3GNNH | |
| 관련 링크 | CL03C010B, CL03C010BA3GNNH 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D2R0CLXAJ | 2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R0CLXAJ.pdf | |
![]() | VJ1808A120KBGAT4X | 12pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A120KBGAT4X.pdf | |
![]() | RT0805BRE0721K8L | RES SMD 21.8K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0721K8L.pdf | |
![]() | Y40255R00000F0W | RES SMD 5 OHM 1% 1/2W 2010 | Y40255R00000F0W.pdf | |
![]() | Y00626K19000A9L | RES 6.19K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y00626K19000A9L.pdf | |
![]() | TLE49655MXTSA1 | IC HALL EFFECT UNIPO SOT23-3 | TLE49655MXTSA1.pdf | |
![]() | V1-RAM-C1 | V1-RAM-C1 VICOR SMD or Through Hole | V1-RAM-C1.pdf | |
![]() | SDIP56 | SDIP56 ORIGINAL DIP | SDIP56.pdf | |
![]() | BL3.5/4SN | BL3.5/4SN WEIDMULLER ORIGINAL | BL3.5/4SN.pdf | |
![]() | TH356LSL-4845=P3 | TH356LSL-4845=P3 TOKO SMD or Through Hole | TH356LSL-4845=P3.pdf | |
![]() | FS8S07652C | FS8S07652C FAI 220-5P | FS8S07652C.pdf |