창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL03A225MQ3CRNC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MLCC Catalog CL03A225MQ3CRNC Spec | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 2.2µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 6.3V | |
| 온도 계수 | X5R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 1276-6870-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL03A225MQ3CRNC | |
| 관련 링크 | CL03A225M, CL03A225MQ3CRNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | TB612-052.0M | 52MHz LVCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA Enable/Disable | TB612-052.0M.pdf | |
![]() | NS10145T151MNV | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 860mA 420 mOhm Max Nonstandard | NS10145T151MNV.pdf | |
![]() | MHQ0402P1N2ST000 | 1.2nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 200 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P1N2ST000.pdf | |
![]() | CR0603-FX-5760ELF | RES SMD 576 OHM 1% 1/10W 0603 | CR0603-FX-5760ELF.pdf | |
![]() | RT0603FRD0766K5L | RES SMD 66.5K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRD0766K5L.pdf | |
![]() | BFR17 | BFR17 PH CAN | BFR17.pdf | |
![]() | UDZ4.3BT7 | UDZ4.3BT7 ROHM SMD or Through Hole | UDZ4.3BT7.pdf | |
![]() | VT6105MG | VT6105MG VIA SMD or Through Hole | VT6105MG.pdf | |
![]() | MB98C81233-10 | MB98C81233-10 FUJITSU SMD or Through Hole | MB98C81233-10.pdf | |
![]() | SE450M0033B7F1636 | SE450M0033B7F1636 yageo SMD or Through Hole | SE450M0033B7F1636.pdf | |
![]() | DN74121N | DN74121N NSC DIP | DN74121N.pdf |