창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL03A224MQ3NNNH | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CL03A224MQ3NNNH Characteristics CL03A224MQ3NNNHSpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.22µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 6.3V | |
온도 계수 | X5R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | 1276-6444-2 CL03A224MQ3NNNH-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL03A224MQ3NNNH | |
관련 링크 | CL03A224M, CL03A224MQ3NNNH 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | TPSMC36HE3_A/H | TVS DIODE 29.1VWM 52VC SMC | TPSMC36HE3_A/H.pdf | |
![]() | V1000LC80AP | VARISTOR 1650V 4.5KA DISC 14MM | V1000LC80AP.pdf | |
![]() | 416F32022CKT | 32MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32022CKT.pdf | |
![]() | TNPW120688R7BETA | RES SMD 88.7 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120688R7BETA.pdf | |
![]() | OK4315E-R52 | RES 430 OHM 1/4W 5% AXIAL | OK4315E-R52.pdf | |
![]() | R6653-30 | R6653-30 ROCKWELL PLCC | R6653-30.pdf | |
![]() | FMY1 T148 | FMY1 T148 ROHM SOT23-5 | FMY1 T148.pdf | |
![]() | 113MT060KB | 113MT060KB IR SMD or Through Hole | 113MT060KB.pdf | |
![]() | MAX8878EZK33+T | MAX8878EZK33+T MAXIM 5TSOT | MAX8878EZK33+T.pdf | |
![]() | 73113 | 73113 ORIGINAL SMD or Through Hole | 73113.pdf | |
![]() | 6127.501.301 | 6127.501.301 VARTAMICROBATTERY SMD or Through Hole | 6127.501.301.pdf | |
![]() | CX2576 | CX2576 CX TO263-5 | CX2576.pdf |