창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL03A105MR3CSNH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet CL03A105MR3CSNH Spec | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 4V | |
| 온도 계수 | X5R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 다른 이름 | 1276-6442-2 CL03A105MR3CSNH-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL03A105MR3CSNH | |
| 관련 링크 | CL03A105M, CL03A105MR3CSNH 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | AZ23B27-HE3-18 | DIODE ZENER 27V 300MW SOT23 | AZ23B27-HE3-18.pdf | |
![]() | CMF5521K500BER670 | RES 21.5K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5521K500BER670.pdf | |
![]() | 200M/200 | 200M/200 ATI BGA | 200M/200.pdf | |
![]() | 740L6011-ND | 740L6011-ND FAI DIP-6 | 740L6011-ND.pdf | |
![]() | EBM0805-110 | EBM0805-110 ORIGINAL SMD or Through Hole | EBM0805-110.pdf | |
![]() | MLF2012DR10T000 | MLF2012DR10T000 TDK SMD or Through Hole | MLF2012DR10T000.pdf | |
![]() | Z8000CPU | Z8000CPU ZIL CDIP | Z8000CPU.pdf | |
![]() | TPC1280GB-177C | TPC1280GB-177C TI PGA | TPC1280GB-177C.pdf | |
![]() | IRL530STRR | IRL530STRR IR TO263 | IRL530STRR.pdf | |
![]() | 1LX139K | 1LX139K NULL DIP | 1LX139K.pdf | |
![]() | MB8464A-10LLP-SK | MB8464A-10LLP-SK FUJITSU SMD or Through Hole | MB8464A-10LLP-SK.pdf | |
![]() | H2611DCBA | H2611DCBA H SOP | H2611DCBA.pdf |