창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-CKG57KX7S2A106M335JA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | CKG57KX7S2A106M335JA | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | CKG57KX7S2A106M335JA | |
관련 링크 | CKG57KX7S2A1, CKG57KX7S2A106M335JA 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
CGA8N2X7R2A105M230KA | 1µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | CGA8N2X7R2A105M230KA.pdf | ||
18121C564MAT2A | 0.56µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18121C564MAT2A.pdf | ||
ASTMHTD-48.000MHZ-XC-E-T3 | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-48.000MHZ-XC-E-T3.pdf | ||
NGB8207BNT4G | IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 | NGB8207BNT4G.pdf | ||
PM32-180M-RC | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 580mA 460 mOhm Max Nonstandard | PM32-180M-RC.pdf | ||
BW-S1W2+ | BW-S1W2+ MINI SMD or Through Hole | BW-S1W2+.pdf | ||
SLF12555T-331M | SLF12555T-331M TDK SMD | SLF12555T-331M.pdf | ||
TPS3707-25DRG4 | TPS3707-25DRG4 TI SOIC-8 | TPS3707-25DRG4.pdf | ||
6-5174216-3 | 6-5174216-3 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 6-5174216-3.pdf | ||
GRM39CK0R3B50 | GRM39CK0R3B50 MURATA SMD | GRM39CK0R3B50.pdf | ||
LS-168A-3 | LS-168A-3 Enhance SMD or Through Hole | LS-168A-3.pdf | ||
2N7002/12W(G3) | 2N7002/12W(G3) PHI SOT-23 | 2N7002/12W(G3).pdf |