창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CK45-R3FD222K-NR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CK45-RR Series (GR, NR) | |
| 카탈로그 페이지 | 2194 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | CK45-RR | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 2200pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 3000V(3kV) | |
| 온도 계수 | R | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
| 크기/치수 | 0.650" Dia(16.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.807"(20.50mm) | |
| 두께(최대) | - | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 특징 | 고전압, 낮은 소산율 | |
| 리드 유형 | 스트레이트형 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 445-2771 CK45R3FD222KNR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CK45-R3FD222K-NR | |
| 관련 링크 | CK45-R3FD, CK45-R3FD222K-NR 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
|  | D223Z39Z5UH6UL2R | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | D223Z39Z5UH6UL2R.pdf | |
|  | AIMC-0402HQ-8N7J-T | 8.7nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 170 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | AIMC-0402HQ-8N7J-T.pdf | |
| .jpg) | RT1210BRB07130KL | RES SMD 130K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRB07130KL.pdf | |
|  | MBB02070C2204FRP00 | RES 2.2M OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2204FRP00.pdf | |
|  | UDN5732M | UDN5732M ALLEGRO DIP8L | UDN5732M.pdf | |
|  | MC74LS258AN | MC74LS258AN MOTOROLA DIP16 | MC74LS258AN.pdf | |
|  | A800DB12UC | A800DB12UC AMD BGA | A800DB12UC.pdf | |
|  | YG902C02RSC | YG902C02RSC FUJI SMD or Through Hole | YG902C02RSC.pdf | |
|  | 2SB1043 | 2SB1043 NEC CAN | 2SB1043.pdf | |
|  | NS740BOWC35-02-EF-E1 | NS740BOWC35-02-EF-E1 ORIGINAL BGA | NS740BOWC35-02-EF-E1.pdf | |
|  | BW-K-TH018 | BW-K-TH018 bothwin SMD or Through Hole | BW-K-TH018.pdf | |
|  | SWI1210F-R82J | SWI1210F-R82J epcos SMD or Through Hole | SWI1210F-R82J.pdf |