창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CIH03Q15NJNC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CIH03Q Series Chip Inductor Catalog | |
주요제품 | CIH and CIG Series Chip Inductors | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CIH03Q | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 다층 | |
소재 - 코어 | - | |
유도 용량 | 15nH | |
허용 오차 | ±5% | |
정격 전류 | 150mA | |
전류 - 포화 | - | |
차폐 | 비차폐 | |
DC 저항(DCR) | 890m옴최대 | |
Q @ 주파수 | 12 @ 500MHz | |
주파수 - 자기 공진 | 2.6GHz | |
등급 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
주파수 - 테스트 | 500MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | * | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1276-6266-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CIH03Q15NJNC | |
관련 링크 | CIH03Q1, CIH03Q15NJNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | MMP6W1K-F | 1µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Axial 0.866" W, 0.512" T x 1.535" L (22.00mm, 13.00mm x 39.00mm) | MMP6W1K-F.pdf | |
![]() | 416F40633CAT | 40.61MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40633CAT.pdf | |
![]() | B39361-X6966--N201 | B39361-X6966--N201 EPCOS NA | B39361-X6966--N201.pdf | |
![]() | JC083B73728MHZ | JC083B73728MHZ JAUCH SMD or Through Hole | JC083B73728MHZ.pdf | |
![]() | 7440KN11 | 7440KN11 ORIGINAL SMD or Through Hole | 7440KN11.pdf | |
![]() | UVY1C332MED | UVY1C332MED NICHICON DIP | UVY1C332MED.pdf | |
![]() | SAA7109AE | SAA7109AE PHI BGA | SAA7109AE.pdf | |
![]() | 174662-7 | 174662-7 TEConnectivity SMD or Through Hole | 174662-7.pdf | |
![]() | TNY279P/G | TNY279P/G POWER DIP7 | TNY279P/G.pdf | |
![]() | LQW1608A9N5D00T1M00-03LQW | LQW1608A9N5D00T1M00-03LQW muRata SMD or Through Hole | LQW1608A9N5D00T1M00-03LQW.pdf | |
![]() | NFM-05-3.3 | NFM-05-3.3 MW SMD or Through Hole | NFM-05-3.3.pdf | |
![]() | BD9890 | BD9890 ROHM DIPSOP | BD9890.pdf |