Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CIG22B1R0MNE
.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CIG22B1R0MNE
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 고정 인덕터
- 간단한 설명
- 1µH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 125 mOhm 1008 (2520 Metric)
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CIG22B1R0MNE 가격 및 조달
가능 수량
11550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 97.98909
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CIG22B1R0MNE 재고가 있습니다. 우리는 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 전자 부품 전문. CIG22B1R0MNE 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CIG22B1R0MNE가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CIG22B1R0MNE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CIG22B1R0MNE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CIG22B1R0MNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CIG22B Series Chip Inductor Catalog | |
| 주요제품 | CIH and CIG Series Chip Inductors | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CIG22B | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 다층 | |
| 소재 - 코어 | - | |
| 유도 용량 | 1µH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 1.2A | |
| 전류 - 포화 | 2A | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 125m옴 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1008(2520 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | * | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1276-6216-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CIG22B1R0MNE | |
| 관련 링크 | CIG22B1, CIG22B1R0MNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
CIG22B1R0MNE 의 관련 제품
 | VJ0603D750MLXAJ | 75pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D750MLXAJ.pdf | |
 | C0603C681F3GACTU | 680pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C681F3GACTU.pdf | |
 | ASTMHTA-12.288MHZ-ZR-E | 12.288MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-12.288MHZ-ZR-E.pdf | |
 | 3RM090L-7 | 3RM090L-7 RUILON DIP | 3RM090L-7.pdf | |
| 02CZ3.3-X SOT23-3.3V-3.3X | 02CZ3.3-X SOT23-3.3V-3.3X TOSHIBA SOT-23 | 02CZ3.3-X SOT23-3.3V-3.3X.pdf | |
| TNETV2510ENGGW | TNETV2510ENGGW ORIGINAL SMD or Through Hole | TNETV2510ENGGW.pdf | |
| ITE8712F-A GXS | ITE8712F-A GXS ITE SMD or Through Hole | ITE8712F-A GXS.pdf | |
| KDR735U-RTK/P | KDR735U-RTK/P ORIGINAL SMD or Through Hole | KDR735U-RTK/P.pdf | |
| K2810 | K2810 ORIGINAL SOT-263 | K2810.pdf | |
| ERW12-120 | ERW12-120 FUJITSU TO-3P | ERW12-120.pdf | |
| S87CJJ2-A68 | S87CJJ2-A68 PHILIPS PLCC | S87CJJ2-A68.pdf | |
| K9F6408U0C-TC80 | K9F6408U0C-TC80 SAMSUNG TSOP | K9F6408U0C-TC80.pdf |