창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CGS262T250R5L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CGS Series Datasheet Capacitor Hardware, Mounting Options CG, CGx, HES Type Mechanical Details | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
| 계열 | CGS | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 2600µF | |
| 허용 오차 | -10%, +50% | |
| 정격 전압 | 250V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 35m옴 @ 120Hz | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 6.9A @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | - | |
| 크기/치수 | 1.375" Dia(34.93mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 5.625"(142.88mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CGS262T250R5L | |
| 관련 링크 | CGS262T, CGS262T250R5L 데이터 시트, Cornell Dubilier Electronics (CDE) 에이전트 유통 | |
![]() | GCM1885C2A7R9DA16D | 7.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C2A7R9DA16D.pdf | |
![]() | CX3225GB14318D0HPQCC | 14.31818MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB14318D0HPQCC.pdf | |
![]() | 6411928 | 6411928 AMP SMD or Through Hole | 6411928.pdf | |
![]() | HIT9012H | HIT9012H HITACHI SMD or Through Hole | HIT9012H.pdf | |
![]() | CD4098BM | CD4098BM TI SMD or Through Hole | CD4098BM.pdf | |
![]() | RC2512JK-7W1R5L | RC2512JK-7W1R5L YAGEO SMD | RC2512JK-7W1R5L.pdf | |
![]() | L4A0520 | L4A0520 LSI PGA | L4A0520.pdf | |
![]() | LC74782M-9805-TRM | LC74782M-9805-TRM SANYO SOP | LC74782M-9805-TRM.pdf | |
![]() | BAV102GS18 | BAV102GS18 vishay SMD or Through Hole | BAV102GS18.pdf | |
![]() | VUB120-16IO1 | VUB120-16IO1 IXYS SMD or Through Hole | VUB120-16IO1.pdf | |
![]() | EVM-1SSX50B14 | EVM-1SSX50B14 PAN SMD or Through Hole | EVM-1SSX50B14.pdf | |
![]() | 7MBR20UG060(DS) | 7MBR20UG060(DS) FUJI SMD or Through Hole | 7MBR20UG060(DS).pdf |