- CGA3E2X8R2A103K
CGA3E2X8R2A103K 가격 및 조달
가능 수량
34210 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CGA3E2X8R2A103K 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. CGA3E2X8R2A103K 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CGA3E2X8R2A103K가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CGA3E2X8R2A103K 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CGA3E2X8R2A103K 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CGA3E2X8R2A103K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | CGA3E2X8R2A103K | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | CGA3E2X8R2A103K | |
| 관련 링크 | CGA3E2X8R, CGA3E2X8R2A103K 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
CGA3E2X8R2A103K 의 관련 제품
 | NLJB157M004R1500 | 150µF Niobium Oxide Capacitor 4V 1210 (3528 Metric) 1.5 Ohm ESR | NLJB157M004R1500.pdf | |
 | 1N3211R | DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5 | 1N3211R.pdf | |
 | LQW15AN7N3G00D | 7.3nH Unshielded Wirewound Inductor 570mA 130 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN7N3G00D.pdf | |
| AKWRAB-KOREA | AKWRAB-KOREA PANASONIC SMD | AKWRAB-KOREA.pdf | |
| K8P3215UQB-PI4B-TSTDTS | K8P3215UQB-PI4B-TSTDTS SAMSUNG ORIGINAL | K8P3215UQB-PI4B-TSTDTS.pdf | |
| DAC7612UB. | DAC7612UB. TI/BB SOIC-8 | DAC7612UB..pdf | |
| SLR-732A-30 | SLR-732A-30 SANYO SOPDIP | SLR-732A-30.pdf | |
| S-80733SGUP | S-80733SGUP ORIGINAL SOT-89 | S-80733SGUP.pdf | |
| NC74SZ175PGX-LF | NC74SZ175PGX-LF FSC SMD or Through Hole | NC74SZ175PGX-LF.pdf | |
| TPS77701DRG4 | TPS77701DRG4 TI SMD or Through Hole | TPS77701DRG4.pdf | |
| DMD05433 | DMD05433 NOKIA SMD or Through Hole | DMD05433.pdf | |
| S-814A33AMC-BCK-T2G | S-814A33AMC-BCK-T2G SII SOT23-5 | S-814A33AMC-BCK-T2G.pdf |