창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-CG82NM10 ES | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | CG82NM10 ES | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | BGA | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | CG82NM10 ES | |
관련 링크 | CG82NM10, CG82NM10 ES 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | 572D227X9004B2T001 | 220µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 4V 1210 (3528 Metric) 200 mOhm 0.130" L x 0.106" W (3.30mm x 2.70mm) | 572D227X9004B2T001.pdf | |
![]() | ABM8AIG-14.31818MHZ-12-2Z-T3 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8AIG-14.31818MHZ-12-2Z-T3.pdf | |
![]() | IXFK32N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 | IXFK32N80Q3.pdf | |
![]() | RG3216P-8660-B-T1 | RES SMD 866 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-8660-B-T1.pdf | |
![]() | 1AB163010001 | 1AB163010001 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1AB163010001.pdf | |
![]() | 200V220UF | 200V220UF ORIGINAL DIP | 200V220UF.pdf | |
![]() | S7040D2 | S7040D2 SI QFP | S7040D2.pdf | |
![]() | 2SC1815-YTE2 | 2SC1815-YTE2 TOSHIBA DIPSOP | 2SC1815-YTE2.pdf | |
![]() | UPD65622GF-232-3B9 | UPD65622GF-232-3B9 NEC QFP | UPD65622GF-232-3B9.pdf | |
![]() | RC22H06031608 | RC22H06031608 Philips SMD or Through Hole | RC22H06031608.pdf | |
![]() | SM7CSC2M322001/E28F320J3A11 | SM7CSC2M322001/E28F320J3A11 SMA SIMM | SM7CSC2M322001/E28F320J3A11.pdf | |
![]() | MC1232CSA | MC1232CSA ORIGINAL SMD or Through Hole | MC1232CSA.pdf |