창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CEDM8001 TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CEDM8001 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 10mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.66nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 45pF @ 3V | |
전력 - 최대 | 100mW | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
공급 장치 패키지 | SOT-883 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | CEDM8001 TR LEAD FREE | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CEDM8001 TR | |
관련 링크 | CEDM80, CEDM8001 TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 |
DSC400-1111Q0044KI2T | LVCMOS MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 20-VFQFN Exposed Pad 2.25 V ~ 3.6 V Enable/Disable | DSC400-1111Q0044KI2T.pdf | ||
CPPT1-HT06P | 1MHz ~ 133MHz TTL XO (Standard) Programmable Oscillator Through Hole 5V 45mA Standby | CPPT1-HT06P.pdf | ||
SSR4N60 | SSR4N60 FAIRCHILD SMD or Through Hole | SSR4N60.pdf | ||
MD27C128 | MD27C128 INTEL DIP | MD27C128.pdf | ||
ADG3333 | ADG3333 ORIGINAL SOP | ADG3333.pdf | ||
MFR4P2K87FI | MFR4P2K87FI WELWY SMD or Through Hole | MFR4P2K87FI.pdf | ||
LA76930N 7L-55N3 | LA76930N 7L-55N3 SANYO DIP64 | LA76930N 7L-55N3.pdf | ||
1W8V2TR | 1W8V2TR TCKELCJTCON LL-41 | 1W8V2TR.pdf | ||
N11M-OP1-S-A3/GT218-673-A3 | N11M-OP1-S-A3/GT218-673-A3 NVIDIA BGA | N11M-OP1-S-A3/GT218-673-A3.pdf | ||
BMV-500ADAR47MD55G | BMV-500ADAR47MD55G UCC DIP | BMV-500ADAR47MD55G.pdf | ||
194D336X9010F2 | 194D336X9010F2 Vishay SMD | 194D336X9010F2.pdf | ||
IRG4BC302SK-S | IRG4BC302SK-S IR SOT-263 | IRG4BC302SK-S.pdf |