창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CDZVT2R8.2B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CDZV8.2B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | VMN2M | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | CDZVT2R8.2BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CDZVT2R8.2B | |
| 관련 링크 | CDZVT2, CDZVT2R8.2B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LQW15AN19NG80D | 19nH Unshielded Wirewound Inductor 920mA 156 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN19NG80D.pdf | |
![]() | KTR03EZPJ393 | RES SMD 39K OHM 5% 1/10W 0603 | KTR03EZPJ393.pdf | |
![]() | ESMH500VSN822MA30S | ESMH500VSN822MA30S NIPPON DIP | ESMH500VSN822MA30S.pdf | |
![]() | AD890JD | AD890JD ADI DIP | AD890JD.pdf | |
![]() | TAS5707 | TAS5707 TI QFP48 | TAS5707.pdf | |
![]() | SM8501 | SM8501 SM TO94SOT23-6 | SM8501.pdf | |
![]() | AD8001BR | AD8001BR AD SOP | AD8001BR.pdf | |
![]() | GRM31M5C2H390JV01L | GRM31M5C2H390JV01L MURATA SMD or Through Hole | GRM31M5C2H390JV01L.pdf | |
![]() | BA220 | BA220 PHI DO-35 | BA220.pdf | |
![]() | DPA452SN | DPA452SN POWER TO-263 | DPA452SN.pdf | |
![]() | HX2019T | HX2019T PULSEENGINEERING SMD or Through Hole | HX2019T.pdf | |
![]() | PSG00018AV | PSG00018AV ps DIP | PSG00018AV.pdf |