창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CDZT2R5.6B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CDZ5.6B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | VMN2 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | CDZT2R5.6B-ND CDZT2R5.6BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CDZT2R5.6B | |
| 관련 링크 | CDZT2R, CDZT2R5.6B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | SR275C104KAR | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.260" L x 0.160" W(6.60mm x 4.06mm) | SR275C104KAR.pdf | |
|  | LQH43CN220K03L | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 600 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43CN220K03L.pdf | |
|  | CA5075100R0JR05 | RES 100 OHM 3.75W 5% AXIAL | CA5075100R0JR05.pdf | |
|  | 5962F9563101TXC | 5962F9563101TXC INTERSIL SOP16 | 5962F9563101TXC.pdf | |
|  | AI1003A | AI1003A APRS SMD or Through Hole | AI1003A.pdf | |
|  | M54455EVB | M54455EVB FSL SMD or Through Hole | M54455EVB.pdf | |
|  | 358P/LM358DRg4 | 358P/LM358DRg4 TI/ST DIPSO-8 | 358P/LM358DRg4.pdf | |
|  | 0603YC154MAT2A | 0603YC154MAT2A AVX SMD | 0603YC154MAT2A.pdf | |
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|  | NS32FX164AV-250 | NS32FX164AV-250 NSC PLCC | NS32FX164AV-250.pdf | |
|  | CGA5C4C0G2J391J | CGA5C4C0G2J391J TDK SMD | CGA5C4C0G2J391J.pdf | |
|  | S5000PSLSASR | S5000PSLSASR Intel SMD or Through Hole | S5000PSLSASR.pdf |