창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CDR32BP1R2BJSRT/R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | CDR32BP1R2BJSRT/R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | CDR32BP1R2BJSRT/R | |
| 관련 링크 | CDR32BP1R2, CDR32BP1R2BJSRT/R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 0FLA030.V | FUSE CARTRIDGE 30A 125VAC 5AG | 0FLA030.V.pdf | |
![]() | 4P143F35CDT | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P143F35CDT.pdf | |
![]() | MLP2016V1R0MT0S1 | 1µH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 150 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | MLP2016V1R0MT0S1.pdf | |
![]() | CRCW020111R3FNED | RES SMD 11.3 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020111R3FNED.pdf | |
![]() | RBD-35V330ME3 | RBD-35V330ME3 ELNA DIP | RBD-35V330ME3.pdf | |
![]() | HM62V8512BLTT-7 | HM62V8512BLTT-7 HITACHI TSOP | HM62V8512BLTT-7.pdf | |
![]() | LM158J/883QS | LM158J/883QS NS DIP-8 | LM158J/883QS.pdf | |
![]() | 52411-0201 | 52411-0201 MOLEX SMD or Through Hole | 52411-0201.pdf | |
![]() | LCA10-2A1C683MT | LCA10-2A1C683MT ORIGINAL SMD or Through Hole | LCA10-2A1C683MT.pdf | |
![]() | AT49BV002T-90TI | AT49BV002T-90TI ATMEL TSOP-32 | AT49BV002T-90TI.pdf | |
![]() | PR2-4812Si | PR2-4812Si Lyson SMD or Through Hole | PR2-4812Si.pdf |