창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-CDR105BNP-100M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | CDR105BNP-100M | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | CDR105BNP-100M | |
관련 링크 | CDR105BN, CDR105BNP-100M 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812A560KBEAT4X | 56pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A560KBEAT4X.pdf | |
![]() | 22255A682FAT2A | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 22255A682FAT2A.pdf | |
![]() | MKP385324085JFP2B0 | 0.024µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP385324085JFP2B0.pdf | |
![]() | NTD3055L104T4G | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | NTD3055L104T4G.pdf | |
![]() | SDS850R-104M | 100µH Shielded Wirewound Inductor 500mA 600 mOhm Max Nonstandard | SDS850R-104M.pdf | |
![]() | S0603-15NG3C | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 200 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-15NG3C.pdf | |
![]() | MC1488DR2G-ON# | MC1488DR2G-ON# ON SMD or Through Hole | MC1488DR2G-ON#.pdf | |
![]() | LA336 | LA336 Sanyo IC | LA336.pdf | |
![]() | TT13A2T | TT13A2T tyco SMD or Through Hole | TT13A2T.pdf | |
![]() | MAX6352SVEUK | MAX6352SVEUK MAXIM SOT-36 | MAX6352SVEUK.pdf | |
![]() | BB4023/25 | BB4023/25 BB SMD or Through Hole | BB4023/25.pdf |