창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CDLL967A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N9zzzBUR-1 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 21옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1086-1930 1086-1930-MIL | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CDLL967A | |
관련 링크 | CDLL, CDLL967A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 402F250XXCAR | 25MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F250XXCAR.pdf | |
![]() | MB3776APF-G-BND-JN-ER | MB3776APF-G-BND-JN-ER FUJITSU SOP | MB3776APF-G-BND-JN-ER.pdf | |
![]() | ADC0820BCW | ADC0820BCW NS SOP20 | ADC0820BCW.pdf | |
![]() | TLP180(GB,TPR, | TLP180(GB,TPR, TOSHIBA SOP4 | TLP180(GB,TPR,.pdf | |
![]() | UT6401G-AG6-R | UT6401G-AG6-R UTC SOT-23-6 | UT6401G-AG6-R.pdf | |
![]() | GLB4200-02660 | GLB4200-02660 TRU-TECH TO23 | GLB4200-02660.pdf | |
![]() | SMBJ30HE3/52 | SMBJ30HE3/52 VISHAY DO-214AA | SMBJ30HE3/52.pdf | |
![]() | CR500AL | CR500AL ORIGINAL SMD or Through Hole | CR500AL.pdf | |
![]() | ZT-CP20707 20708 20801 | ZT-CP20707 20708 20801 ORIGINAL SMD or Through Hole | ZT-CP20707 20708 20801.pdf | |
![]() | 2SK727(-01) | 2SK727(-01) FJD TO-3P | 2SK727(-01).pdf | |
![]() | SN65LVDS179DGK | SN65LVDS179DGK TI MSSOP | SN65LVDS179DGK.pdf | |
![]() | RWM05261R00JA14E1 | RWM05261R00JA14E1 Vishay SMD or Through Hole | RWM05261R00JA14E1.pdf |