창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CDLL6324 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1086-1831 1086-1831-MIL | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CDLL6324 | |
관련 링크 | CDLL, CDLL6324 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | HY1-6V | Telecom Relay SPDT (1 Form C) Through Hole | HY1-6V.pdf | |
RCH50S2R200JS06 | RES CHAS MNT 2.2 OHM 5% 50W | RCH50S2R200JS06.pdf | ||
![]() | AD41367 | AD41367 AD SMD or Through Hole | AD41367.pdf | |
![]() | 3552AM | 3552AM BB TO-3 | 3552AM.pdf | |
![]() | LT1113MJ8 | LT1113MJ8 LT SMD or Through Hole | LT1113MJ8.pdf | |
![]() | PF38F3040LOZBQ1 | PF38F3040LOZBQ1 INTEL BGA | PF38F3040LOZBQ1.pdf | |
![]() | TC514101J-80 | TC514101J-80 ORIGINAL SMD or Through Hole | TC514101J-80.pdf | |
![]() | 1108730441001100 | 1108730441001100 PRECIDIP SMD or Through Hole | 1108730441001100.pdf | |
![]() | HD6433256L08F | HD6433256L08F renesas SMD or Through Hole | HD6433256L08F.pdf | |
![]() | 8-320559-5 | 8-320559-5 TYCO SMD or Through Hole | 8-320559-5.pdf | |
![]() | VS10-050A-101JT | VS10-050A-101JT CTC SMD | VS10-050A-101JT.pdf | |
![]() | BLM21AG121SH1L | BLM21AG121SH1L MURATA O8O5 | BLM21AG121SH1L.pdf |