창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CDLL6311 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1086-1818 1086-1818-MIL | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CDLL6311 | |
관련 링크 | CDLL, CDLL6311 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
600L0R3AW200T | 0.30pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 600L0R3AW200T.pdf | ||
CX3225GB38400D0HEQCC | 38.4MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB38400D0HEQCC.pdf | ||
FA-238 19.6608MB-K3 | 19.6608MHz ±50ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 19.6608MB-K3.pdf | ||
IXFN50N50 | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B | IXFN50N50.pdf | ||
DDYAFHXK | DDYAFHXK INTERSIL QFN | DDYAFHXK.pdf | ||
MAZ32000H | MAZ32000H Panasonic SOT-346 | MAZ32000H.pdf | ||
SFE574MC | SFE574MC murata SMD or Through Hole | SFE574MC.pdf | ||
2SJ202 TEL:82766440 | 2SJ202 TEL:82766440 NEC SOT-323 | 2SJ202 TEL:82766440.pdf | ||
85A1YVK | 85A1YVK TI SOP14 | 85A1YVK.pdf | ||
HE2E477M25035HA180 | HE2E477M25035HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2E477M25035HA180.pdf | ||
MAX4647ESE+ | MAX4647ESE+ MAXIM SOIC | MAX4647ESE+.pdf |