창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CDLL5266 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CDLL5221-72B | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 68V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 10W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 230옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 52V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1086-1563 1086-1563-MIL | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CDLL5266 | |
관련 링크 | CDLL, CDLL5266 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | UGB8HCTHE3/45 | DIODE ARRAY GP 500V 4A TO263AB | UGB8HCTHE3/45.pdf | |
![]() | RG3216P-3241-B-T5 | RES SMD 3.24K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-3241-B-T5.pdf | |
![]() | MDG250/100-2000V | MDG250/100-2000V CHINA SMD or Through Hole | MDG250/100-2000V.pdf | |
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![]() | LEWWS26H | LEWWS26H ORIGINAL SMD or Through Hole | LEWWS26H.pdf | |
![]() | NBN25-30GM40.E0.E2.A0.A2.Z0.W0.WS-V1 | NBN25-30GM40.E0.E2.A0.A2.Z0.W0.WS-V1 ORIGINAL SMD or Through Hole | NBN25-30GM40.E0.E2.A0.A2.Z0.W0.WS-V1.pdf | |
![]() | OAR50.015OHM5% | OAR50.015OHM5% IRC-B SMD or Through Hole | OAR50.015OHM5%.pdf | |
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![]() | MTSW10722SD440 | MTSW10722SD440 SAMTEC SMD or Through Hole | MTSW10722SD440.pdf | |
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