창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CDBZ0130R-HF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CDBZ0130R-HF Datasheet CDBZ0130R-HF Datasheet, new footprint 0201 Pkg Footprint Compatibility | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration CDBZ HF Series Material Declaration | |
| PCN 설계/사양 | PCN140502 23/May/2014 | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 100mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 460mV @ 10mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 300nA @ 10V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0201(0603 미터법) | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 641-1521-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CDBZ0130R-HF | |
| 관련 링크 | CDBZ013, CDBZ0130R-HF 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | PF38F4460LVYTB | PF38F4460LVYTB INTEL BGA | PF38F4460LVYTB.pdf | |
![]() | MAX1902EEI | MAX1902EEI MAXIM SSOP | MAX1902EEI.pdf | |
![]() | THC63LVV103 | THC63LVV103 N/A QFP | THC63LVV103.pdf | |
![]() | D689C20U2JH63J5R | D689C20U2JH63J5R VISHAY DIP | D689C20U2JH63J5R.pdf | |
![]() | SPARCII-400 | SPARCII-400 ORIGINAL SMD or Through Hole | SPARCII-400.pdf | |
![]() | AM29F010-45PI | AM29F010-45PI AMD DIP32 | AM29F010-45PI.pdf | |
![]() | 21440AD | 21440AD INTEL QFP | 21440AD.pdf | |
![]() | GN1L4M-T1(M31) | GN1L4M-T1(M31) NEC SOT323 | GN1L4M-T1(M31).pdf | |
![]() | LC866548V-5T09 | LC866548V-5T09 ORIGINAL SMD or Through Hole | LC866548V-5T09.pdf | |
![]() | M30280F8HP#U9B | M30280F8HP#U9B Renesas 80-LQFP | M30280F8HP#U9B.pdf |