창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CDBD10200-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CDBD1020~10200-G | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 10A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CDBD10200-G | |
| 관련 링크 | CDBD10, CDBD10200-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C569J5GACTU | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C569J5GACTU.pdf | |
![]() | PTVA104501EHV1R250XTMA1 | IC AMP RF LDMOS | PTVA104501EHV1R250XTMA1.pdf | |
![]() | DC780-273K | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 5.5A 26 mOhm Max Radial | DC780-273K.pdf | |
![]() | S0603-10NH1B | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 160 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-10NH1B.pdf | |
![]() | OSC5032 24.576MHz | OSC5032 24.576MHz ORIGINAL SMD or Through Hole | OSC5032 24.576MHz.pdf | |
![]() | PI74FCT821TSA | PI74FCT821TSA ORIGINAL SOP | PI74FCT821TSA.pdf | |
![]() | RC0603 J 91KY | RC0603 J 91KY ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0603 J 91KY.pdf | |
![]() | SDS0402BL-152M-N | SDS0402BL-152M-N YAGEO SMD | SDS0402BL-152M-N.pdf | |
![]() | E722B007-65 | E722B007-65 WINBOND SMD or Through Hole | E722B007-65.pdf | |
![]() | GRM219R61C2 | GRM219R61C2 MURATA SMD or Through Hole | GRM219R61C2.pdf | |
![]() | AM6482S | AM6482S ORIGINAL SOP | AM6482S.pdf | |
![]() | UGF19125F | UGF19125F CREE SMD or Through Hole | UGF19125F.pdf |