창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CD4ED620GO3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CD4 Type | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 운모 및 PTFE 커패시터 | |
제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
계열 | CD4 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 62pF | |
허용 오차 | ±2% | |
전압 - 정격 | 500V | |
유전체 소재 | 운모 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
리드 간격 | 0.098"(2.50mm) | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
특징 | RF, 고주파 | |
크기/치수 | 0.291" L x 0.110" W(7.40mm x 2.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.220"(5.60mm) | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | CD4ED620G03F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CD4ED620GO3F | |
관련 링크 | CD4ED62, CD4ED620GO3F 데이터 시트, Cornell Dubilier Electronics (CDE) 에이전트 유통 |
![]() | FA28C0G1H4R7CNU06 | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA28C0G1H4R7CNU06.pdf | |
![]() | SIT8918AE-82-33E-10.000000Y | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT8918AE-82-33E-10.000000Y.pdf | |
![]() | UGB8BTHE3/45 | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | UGB8BTHE3/45.pdf | |
![]() | RNF14JTD2R00 | RES 2 OHM 1/4W 5% AXIAL | RNF14JTD2R00.pdf | |
![]() | CMF70100K00DHEA | RES 100K OHM 1.75W 0.5% AXIAL | CMF70100K00DHEA.pdf | |
![]() | ES4408 | ES4408 ESS QFP208 | ES4408.pdf | |
![]() | MT6217 | MT6217 MTK BGA | MT6217.pdf | |
![]() | F7039 | F7039 IR SOP8 | F7039.pdf | |
![]() | BM3RHB-032 | BM3RHB-032 FUJI SMD or Through Hole | BM3RHB-032.pdf | |
![]() | L35511111000 | L35511111000 LMI SMD or Through Hole | L35511111000.pdf | |
![]() | AOZ1071AI_2 | AOZ1071AI_2 AOS SMD or Through Hole | AOZ1071AI_2.pdf | |
![]() | RGE7205MC QD43ES | RGE7205MC QD43ES INTEL BGA | RGE7205MC QD43ES.pdf |