창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CC430F5145IRGZT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CC430F512x,514x,614x | |
PCN 포장 | Conversion to 7" Reel 07/Oct/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CC430F5145IRGZT Specifications | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 트랜시버 IC | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | TxRx + MCU | |
RF 제품군/표준 | 일반 ISM < 1GHz | |
프로토콜 | - | |
변조 | 2FSK, 2GFSK, ASK, MSK, OOK | |
주파수 | 300MHz ~ 348MHz, 389MHz ~ 464MHz, 779MHz ~ 928MHz | |
데이터 전송률(최대) | 500kBaud | |
전력 - 출력 | 13dBm | |
감도 | -117dBm | |
메모리 크기 | 16kB 플래시, 2kB SRAM | |
직렬 인터페이스 | I²C, IrDA, JTAG, SPI, UART | |
GPIO | 30 | |
전압 - 공급 | 2 V ~ 3.6 V | |
전류 - 수신 | 15mA ~ 18.5mA | |
전류 - 전송 | 15mA ~ 36mA | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
패키지/케이스 | 48-VFQFN 노출형 패드 | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CC430F5145IRGZT | |
관련 링크 | CC430F514, CC430F5145IRGZT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
DM74S38N | DM74S38N NS DIP | DM74S38N.pdf | ||
KSE13003TH2 | KSE13003TH2 FSC TO220 | KSE13003TH2.pdf | ||
B6S-TR | B6S-TR COMCHIP TO-269AA | B6S-TR.pdf | ||
R095XA | R095XA EPCOS 5.5x6mm | R095XA.pdf | ||
ANT020012CCS2442MA1 | ANT020012CCS2442MA1 TDK SMD or Through Hole | ANT020012CCS2442MA1.pdf | ||
MTB10000-UR-A | MTB10000-UR-A TOSHIBA ROHS | MTB10000-UR-A.pdf | ||
ATT7C185J | ATT7C185J AT&T SOJ-28 | ATT7C185J.pdf | ||
GSM1024EX7F | GSM1024EX7F GS-POWER SOT-563 | GSM1024EX7F.pdf | ||
NND30-1212 | NND30-1212 LAMBDA SMD or Through Hole | NND30-1212.pdf | ||
NRSZ2R2M50V5x11F | NRSZ2R2M50V5x11F NICCOMP DIP | NRSZ2R2M50V5x11F.pdf | ||
ERWQ351LGC103MEF5M | ERWQ351LGC103MEF5M NIPPON SMD or Through Hole | ERWQ351LGC103MEF5M.pdf | ||
P6SMBJ170C | P6SMBJ170C VISHAY/DIODES SMD or Through Hole | P6SMBJ170C.pdf |