창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CC1110F8RSPR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CC1110Fx/CC1111Fx | |
| 제품 교육 모듈 | RF: RFID Technology and Applications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | RF/IF 및 RFID | |
| 제품군 | RF 트랜시버 IC | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 유형 | TxRx + MCU | |
| RF 제품군/표준 | 일반 ISM < 1GHz | |
| 프로토콜 | - | |
| 변조 | 2FSK, ASK, GFSK, MSK, OOK | |
| 주파수 | 300MHz ~ 348MHz, 391MHz ~ 464MHz, 782MHz ~ 928MHz | |
| 데이터 전송률(최대) | 500kBaud | |
| 전력 - 출력 | 10dBm | |
| 감도 | -112dBm | |
| 메모리 크기 | 8kB 플래시, 1kB SRAM | |
| 직렬 인터페이스 | I²S, USART | |
| GPIO | 21 | |
| 전압 - 공급 | 2 V ~ 3.6 V | |
| 전류 - 수신 | 16.2mA ~ 21.5mA | |
| 전류 - 전송 | 18mA ~ 36.2mA | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 패키지/케이스 | 36-VFQFN 노출형 패드 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CC1110F8RSPR | |
| 관련 링크 | CC1110F, CC1110F8RSPR 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 416F38412CTR | 38.4MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38412CTR.pdf | |
![]() | Y16231K50000B0L | RES 1.5K OHM 8W 0.1% TO220-2 | Y16231K50000B0L.pdf | |
![]() | CS8221YDFR8G(C | CS8221YDFR8G(C ON SOP8 | CS8221YDFR8G(C.pdf | |
![]() | PD5319A | PD5319A PIONEER DIP-64P | PD5319A.pdf | |
![]() | SMBJP6KE10CAe3/TR13 | SMBJP6KE10CAe3/TR13 Microsemi DO-214AA | SMBJP6KE10CAe3/TR13.pdf | |
![]() | 2SC1402 | 2SC1402 SANKEN TO-3 | 2SC1402.pdf | |
![]() | SLF7028-100M | SLF7028-100M S SMD or Through Hole | SLF7028-100M.pdf | |
![]() | EL817S(C)-TA. | EL817S(C)-TA. EVERLIGHT SOP4 | EL817S(C)-TA..pdf | |
![]() | D7842241GC | D7842241GC NEC TQFP | D7842241GC.pdf | |
![]() | B4H | B4H ORIGINAL SMD or Through Hole | B4H.pdf | |
![]() | R2S15112FP-W00T | R2S15112FP-W00T RENESAS SMD or Through Hole | R2S15112FP-W00T.pdf | |
![]() | SI4200-BM | SI4200-BM SILICON QFN32 | SI4200-BM.pdf |