창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR08C680F1GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 68pF | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR08C680F1GAC | |
| 관련 링크 | CBR08C68, CBR08C680F1GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 04023J1R4BBWTR | 1.4pF Thin Film Capacitor 25V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 04023J1R4BBWTR.pdf | |
![]() | 744355047 | 470nH Shielded Wirewound Inductor 26A 0.9 mOhm Nonstandard | 744355047.pdf | |
![]() | RT0402BRE071K43L | RES SMD 1.43KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE071K43L.pdf | |
![]() | CH7307C | CH7307C CH QFP | CH7307C.pdf | |
![]() | SD1V478M1635MBB | SD1V478M1635MBB SAMHWA SMD | SD1V478M1635MBB.pdf | |
![]() | T7275BEE/CEE | T7275BEE/CEE ORIGINAL SOP | T7275BEE/CEE.pdf | |
![]() | AS0A421-NARG-7F | AS0A421-NARG-7F FOXCONN SMD or Through Hole | AS0A421-NARG-7F.pdf | |
![]() | 100V330-HIILV | 100V330-HIILV UCC SMD or Through Hole | 100V330-HIILV.pdf | |
![]() | STF23NM60NES | STF23NM60NES ST TO220 | STF23NM60NES.pdf | |
![]() | AE45I16008T-10 | AE45I16008T-10 ORIGINAL TSOP | AE45I16008T-10.pdf | |
![]() | ATEMGA8535A-PU | ATEMGA8535A-PU ATMEL SMD or Through Hole | ATEMGA8535A-PU.pdf | |
![]() | 163SED012UH | 163SED012UH FUJITSU DIP-SOP | 163SED012UH.pdf |