창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR08C110F1GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 11pF | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR08C110F1GAC | |
| 관련 링크 | CBR08C11, CBR08C110F1GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | SRR0908-7R5ML | 7.5µH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 32 mOhm Max Nonstandard | SRR0908-7R5ML.pdf | |
![]() | UA78M15HC | UA78M15HC ELANTEC CAN | UA78M15HC.pdf | |
![]() | TC240E4C04ES | TC240E4C04ES TOSH BGA | TC240E4C04ES.pdf | |
![]() | SAFCH815MAL0T00R11 | SAFCH815MAL0T00R11 MURATA QFN | SAFCH815MAL0T00R11.pdf | |
![]() | 2SC3326(T5LSONY | 2SC3326(T5LSONY TOSHIBA SOT23-3 | 2SC3326(T5LSONY.pdf | |
![]() | 733-338 | 733-338 WAGO SMD or Through Hole | 733-338.pdf | |
![]() | PIC16C65B04I/P | PIC16C65B04I/P ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC16C65B04I/P.pdf | |
![]() | PT86C378 | PT86C378 ROWER QFP | PT86C378.pdf | |
![]() | SW2DE-M1-5S-DC9-18V | SW2DE-M1-5S-DC9-18V ORIGINAL DIP-4 | SW2DE-M1-5S-DC9-18V.pdf | |
![]() | IL-312-A60P-VF-A1 | IL-312-A60P-VF-A1 ORIGINAL SMD or Through Hole | IL-312-A60P-VF-A1.pdf | |
![]() | MSP3438GQAA1 | MSP3438GQAA1 MICRONAS ICSMDONTRAY | MSP3438GQAA1.pdf | |
![]() | DPS128M8N-70I | DPS128M8N-70I ORIGINAL CDIP32 | DPS128M8N-70I.pdf |