창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CBR06C479A1GAC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CBR Series | |
제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | CBR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 4.7pF | |
허용 오차 | ±0.05pF | |
전압 - 정격 | 100V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.034"(0.87mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CBR06C479A1GAC | |
관련 링크 | CBR06C47, CBR06C479A1GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
![]() | C2012X7R1H223M/0.60 | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7R1H223M/0.60.pdf | |
LP0805A3500AW | LOW PASS FILTER 3500MHZ 0805 SMD | LP0805A3500AW.pdf | ||
![]() | 108R-123K | 12µH Unshielded Inductor 79mA 4 Ohm Max 2-SMD | 108R-123K.pdf | |
![]() | BTS116-A | BTS116-A INF TO-220 | BTS116-A.pdf | |
![]() | HPL1005-12N | HPL1005-12N SUSUMU SMD | HPL1005-12N.pdf | |
![]() | K4T51163QE-ZDE6 | K4T51163QE-ZDE6 SAMSUNG BGA | K4T51163QE-ZDE6.pdf | |
![]() | SLGSSTE32882-C02B | SLGSSTE32882-C02B SILEGO BGA | SLGSSTE32882-C02B.pdf | |
![]() | HCGF5A2G562Y | HCGF5A2G562Y MBE PDIP8 | HCGF5A2G562Y.pdf | |
![]() | 2HPV32270 | 2HPV32270 AGILENT QFP | 2HPV32270.pdf | |
![]() | ICS650G-35T | ICS650G-35T ICS TSSOP | ICS650G-35T.pdf | |
![]() | EV-108UC | EV-108UC ORIGINAL SMD or Through Hole | EV-108UC.pdf | |
![]() | TPD4113AK(LB2 | TPD4113AK(LB2 Toshiba SMD or Through Hole | TPD4113AK(LB2.pdf |