창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR06C120J1GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 12pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.034"(0.87mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR06C120J1GAC | |
| 관련 링크 | CBR06C12, CBR06C120J1GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | GCM1885C2A6R9DA16D | 6.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C2A6R9DA16D.pdf | |
![]() | CELMK432BJ226KM-T | CELMK432BJ226KM-T TAIYO SMD or Through Hole | CELMK432BJ226KM-T.pdf | |
![]() | 1812-620R | 1812-620R PANASONIC SMD or Through Hole | 1812-620R.pdf | |
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![]() | 177534-3 | 177534-3 TE SMD or Through Hole | 177534-3.pdf | |
![]() | HEDS-9780-50 | HEDS-9780-50 AGILENT SIP-4 | HEDS-9780-50.pdf | |
![]() | G4F-11123T-US-12VDC/12V | G4F-11123T-US-12VDC/12V OMRON SMD or Through Hole | G4F-11123T-US-12VDC/12V.pdf | |
![]() | HFJ111043E | HFJ111043E PULSE RJ45 | HFJ111043E.pdf | |
![]() | XTVP9007 | XTVP9007 TI BGA | XTVP9007.pdf | |
![]() | GT28F800B3B90 | GT28F800B3B90 INTEL IC | GT28F800B3B90.pdf | |
![]() | K9F1G08UOA-PIB0 | K9F1G08UOA-PIB0 SAMSUNG TSSOP48 | K9F1G08UOA-PIB0.pdf |