창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR04C709C1GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 7pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR04C709C1GAC | |
| 관련 링크 | CBR04C70, CBR04C709C1GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | FC-255 100.0000K-AG3 | 100kHz ±20ppm 수정 7pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | FC-255 100.0000K-AG3.pdf | |
![]() | IRFS3206PBF | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | IRFS3206PBF.pdf | |
![]() | MP6-2W-1L-1L-1Q-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2W-1L-1L-1Q-00.pdf | |
![]() | VM3JB3R00 | RES 3 OHM 3W 5% RADIAL | VM3JB3R00.pdf | |
![]() | M83C154-722 | M83C154-722 N/A DIP | M83C154-722.pdf | |
![]() | PTZ TE-25 11B | PTZ TE-25 11B ROHM SOD-106 | PTZ TE-25 11B.pdf | |
![]() | EXO31A-16.000 | EXO31A-16.000 KSS DIP8 | EXO31A-16.000.pdf | |
![]() | TMS27C256150JL | TMS27C256150JL TI SMD or Through Hole | TMS27C256150JL.pdf | |
![]() | RVC-10V330ME61-R2 | RVC-10V330ME61-R2 ELNA SMD | RVC-10V330ME61-R2.pdf | |
![]() | HSM2692TRF TEL:82766440 | HSM2692TRF TEL:82766440 HITACHI SOT23 | HSM2692TRF TEL:82766440.pdf | |
![]() | PS2652K | PS2652K NEC DIP | PS2652K.pdf | |
![]() | CLC203AI | CLC203AI CLC DIP | CLC203AI.pdf |