창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR02C479A9GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 4.7pF | |
| 허용 오차 | ±0.05pF | |
| 전압 - 정격 | 6.3V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR02C479A9GAC | |
| 관련 링크 | CBR02C47, CBR02C479A9GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 405C35B27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 13pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405C35B27M00000.pdf | |
![]() | PE-1206CD150KTT | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 100 mOhm Max Nonstandard | PE-1206CD150KTT.pdf | |
![]() | RN73C2A1K58BTDF | RES SMD 1.58KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A1K58BTDF.pdf | |
![]() | RG2012N-4531-D-T5 | RES SMD 4.53K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-4531-D-T5.pdf | |
![]() | BUZ71A-R4941 | BUZ71A-R4941 FAIRCHILD ORIGINAL | BUZ71A-R4941.pdf | |
![]() | YC3DU2 2mm | YC3DU2 2mm NEC SMD or Through Hole | YC3DU2 2mm.pdf | |
![]() | D751668B | D751668B TI BGA | D751668B.pdf | |
![]() | HSMS2855TR1G | HSMS2855TR1G AVAGO/Agilent NA | HSMS2855TR1G.pdf | |
![]() | HSM276S /C2 | HSM276S /C2 RENESAS SOT-23 | HSM276S /C2.pdf | |
![]() | MT1685PE-AABL | MT1685PE-AABL MT QFP-216L | MT1685PE-AABL.pdf | |
![]() | SN74ACT3631-20PQ | SN74ACT3631-20PQ TI TQFP132 | SN74ACT3631-20PQ.pdf | |
![]() | 2SK579L | 2SK579L HIT DPAK-1 | 2SK579L.pdf |