창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR02C120J3GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors RF and Microwave Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors HIQ-CBR Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 12pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 다른 이름 | 399-6148-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR02C120J3GAC | |
| 관련 링크 | CBR02C12, CBR02C120J3GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 445W35K27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35K27M00000.pdf | |
![]() | SIT3808AI-D-25SX | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 33mA Standby | SIT3808AI-D-25SX.pdf | |
![]() | CRCW12105R10JNEAHP | RES SMD 5.1 OHM 5% 3/4W 1210 | CRCW12105R10JNEAHP.pdf | |
![]() | RG1608V-2100-W-T1 | RES SMD 210 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-2100-W-T1.pdf | |
![]() | CMF5512K900BHEA | RES 12.9K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5512K900BHEA.pdf | |
![]() | cat5005e | cat5005e div SMD or Through Hole | cat5005e.pdf | |
![]() | KBE00H00BM-D413000 | KBE00H00BM-D413000 SAMSUNG SMD or Through Hole | KBE00H00BM-D413000.pdf | |
![]() | AT45DB04113-S2 | AT45DB04113-S2 ATMEL SOP | AT45DB04113-S2.pdf | |
![]() | DRV103UG4 | DRV103UG4 TI/BB SOP8 | DRV103UG4.pdf | |
![]() | SR1011220MSB | SR1011220MSB ABC SMD | SR1011220MSB.pdf | |
![]() | PTEA211801E | PTEA211801E INFINEON SMD or Through Hole | PTEA211801E.pdf |