창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR02C110F8GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 11pF | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전압 - 정격 | 10V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR02C110F8GAC | |
| 관련 링크 | CBR02C11, CBR02C110F8GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | H813R7BYA | RES 13.7 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H813R7BYA.pdf | |
![]() | OM51G5E-R58 | RES 5.1 OHM 1W 5% AXIAL | OM51G5E-R58.pdf | |
![]() | 2301200002 | 2301200002 LITTELFUSE SMD or Through Hole | 2301200002.pdf | |
![]() | 47C1237N-UB14 | 47C1237N-UB14 TOSHIBA DIP42 | 47C1237N-UB14.pdf | |
![]() | LC863320A-5P26 | LC863320A-5P26 SANYO DIP-42 | LC863320A-5P26.pdf | |
![]() | RN1908 NOPB | RN1908 NOPB TOSHIBA SOT363 | RN1908 NOPB.pdf | |
![]() | 5788451-1 | 5788451-1 TYCO SMD or Through Hole | 5788451-1.pdf | |
![]() | 64ZR500K | 64ZR500K BI SMD or Through Hole | 64ZR500K.pdf | |
![]() | UPD42S16190LG5-A80-7JF | UPD42S16190LG5-A80-7JF NEC TSOP | UPD42S16190LG5-A80-7JF.pdf | |
![]() | C2012COG1H122JT000A | C2012COG1H122JT000A TDK SMD | C2012COG1H122JT000A.pdf | |
![]() | 1658538-2 | 1658538-2 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1658538-2.pdf | |
![]() | 1651864-1 | 1651864-1 ALTERA SMD or Through Hole | 1651864-1.pdf |